QTJ8600T功率半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)功率半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)

實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化測(cè)試過程，滿足不同器件測(cè)試對(duì)測(cè)試機(jī)的要求。

本產(chǎn)品為IGBT、SiC等功率半導(dǎo)體器件提供全套功率測(cè)試解決方案，可高效實(shí)現(xiàn)從晶圓級(jí)到最終產(chǎn)品的ISO、DC、AC等全套測(cè)試，實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化測(cè)試過程，并配置豐富的測(cè)試接口和功能模塊選擇，滿足不同器件測(cè)試對(duì)測(cè)試機(jī)的要求。

QTJ8600T功率半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)功率半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)產(chǎn)品特點(diǎn)

• 01測(cè)試范圍

  AC測(cè)試：1500V/4000A，DC測(cè)試：2000V/2000A

• 02測(cè)試功能

  接觸可靠性測(cè)試、ISO測(cè)試、DC測(cè)試、AC測(cè)試等

• 03測(cè)試對(duì)象

  SiC/IGBT 晶圓、芯片、單管、模塊，針對(duì)不同封裝定制測(cè)試治具

• 04測(cè)試過程

  全自動(dòng)化測(cè)試過程，自動(dòng)生成數(shù)據(jù)報(bào)表

• 05回路雜感

  <15nH，不含待測(cè)對(duì)象及socket

• 06保護(hù)功能

  過流保護(hù)閾值可設(shè)置，保護(hù)時(shí)間<2us

• 07測(cè)試效率

  UPH>200，具體依據(jù)實(shí)際測(cè)試對(duì)象及測(cè)試項(xiàng)目確定

• 08測(cè)試流程

  可根據(jù)具體要求對(duì)測(cè)試功能模塊進(jìn)行選擇和測(cè)試流程變更

• 09運(yùn)行模式

  可根據(jù)不同測(cè)試要求選擇各功能并行或者異步模式運(yùn)行

供電電源電壓220V±10%(單相+PE)，50Hz±10%，10kW

測(cè)試對(duì)象SiC/IGBT 晶圓、芯片、單管、模塊

測(cè)試項(xiàng)Kelvin，ISO，SW，SC，Qg，DC，RgCg ，UIS等

AC測(cè)試最大電壓電流1500V，多脈沖 4000A，短路12000A@10us

DC測(cè)試最大電壓電流2000V，2000A

UIS測(cè)試最大電壓電流3000V，200A

RgCg測(cè)試電壓Vds：1500Vmax，Vgs ：±40V

AC測(cè)試雜感＜15nH，不包含被測(cè)器件及socket

AC測(cè)試過流保護(hù)＜2us

測(cè)試效率UPH>200，具體依據(jù)實(shí)際測(cè)試對(duì)象及測(cè)試項(xiàng)目確定